三星开发用于高级计算的512GB DDR5内存

三星电子周四表示，已开发出512GB DDR5内存模块。这是该公司的首款采用最新DDR5标准的DRAM，该标准由JEDEC于去年7月制定。

三星表示，该硬件采用高k金属栅极（HKMG）处理技术制成，可提供高达7,200Mbps的数据传输速率，是传统DDR4的两倍。该公司称，该模块堆叠了八层16Gb DRAM芯片。

该公司补充说，该内存将能够处理应用程序中的高带宽工作负载，例如超级计算，人工智能，机器学习和数据分析。

这家韩国科技巨头表示，采用HKMG技术代替传统的氮氧化硅作为绝缘层，将使最新的硬件比其他内存具有更少的电流泄漏。

该公司表示，这还将使新内存的能耗比其前代产品少13％左右，这使其对数据中心特别有吸引力。

三星对手SK Hynix于去年10月推出了其首个DDR5 DRAM。