三星開發用於高級計算的512GB DDR5內存

三星電子週四表示，已開發出512GB DDR5內存模塊。這是該公司的首款採用最新DDR5標準的DRAM，該標準由JEDEC於去年7月制定。

三星表示，該硬件採用高k金屬柵極（HKMG）處理技術製成，可提供高達7,200Mbps的數據傳輸速率，是傳統DDR4的兩倍。該公司稱，該模塊堆疊了八層16Gb DRAM芯片。

該公司補充説，該內存將能夠處理應用程序中的高帶寬工作負載，例如超級計算，人工智能，機器學習和數據分析。

這家韓國科技巨頭表示，採用HKMG技術代替傳統的氮氧化硅作為絕緣層，將使最新的硬件比其他內存具有更少的電流泄漏。

該公司表示，這還將使新內存的能耗比其前代產品少13％左右，這使其對數據中心特別有吸引力。

三星對手SK Hynix於去年10月推出了其首個DDR5 DRAM。