英特爾的首批代工客戶包括高通和 AWS

本週一，芯片製造商英特爾表示，隨著新代工業務的推出，其首批客戶包括高通和亞馬遜網絡服務。英特爾還分享了在到 2025 年的產品開發的工藝和封裝技術路線圖，詳細介紹其工藝節點的新創新和新命名結構。

高通將使用英特爾即將推出的 20A 工藝技術，預計該技術將在 2024 年量產。Intel 20A 將依賴兩種新技術，RibbonFET 和 PowerVia。 RibbonFET 是英特爾自 2011 年 FinFET 以來的第一個新晶體管架構。它提供更快的晶體管開關速度，同時以更小的尺寸實現與多個鰭片相同的驅動電流。PowerVia 是英特爾業界首個背面供電實施方案，它通過消除晶圓正面的電源佈線需求來優化信號傳輸。

與此同時，AWS 將成為第一個使用英特爾代工服務封裝解決方案的客戶。

早在 3 月份，Gelsinger 就分享了他將英特爾打造為“世界級代工企業”的計劃。他說，該公司的新制造計劃稱為 IDM 2.0，將使英特爾再次成為工藝技術的領導者。

以下是有關英特爾路線圖的更多信息，包括其新節點名稱和創新。該公司表示，英特爾正在採用新的節點命名結構，因為自 1997 年以來，傳統的基於納米的工藝節點命名與實際的柵極長度指標不匹配。

• 基於 FinFET 晶體管優化，Intel 7 與 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能提高了大約 10% 到 15%。Intel 7 將在 2021 年用於客戶端的 Alder Lake 和用於數據中心的 Sapphire Rapids 等產品中採用，預計將於 2022 年第一季度投入生產。
• Intel 4 採用 EUV 光刻技術，使用超短波長光打印小特徵。隨著每瓦性能提高約 20%，以及面積改進，Intel 4 將在 2022 年下半年投入生產，用於 2023 年出貨的產品，包括用於客戶端的 Meteor Lake 和用於數據中心的 Granite Rapids。
• Intel 3 利用進一步的 FinFET 優化和增加的 EUV，與 Intel 4 相比，每瓦性能提高了約 18%，並進一步改進了面積。Intel 3 將準備在 2023 年下半年開始製造產品。
• Intel 20A 預計將在 2024 年量產。
• 2025 年及以後：除了 Intel 20A，Intel 18A 已經在 2025 年初開發，並對 RibbonFET 進行了改進。2025 年及以後：除了 Intel 20A，Intel 18A 已經在 2025 年初開發，並對 RibbonFET 進行了改進。