AMD 使用 3D 堆棧技術將 Zen 3 CPU 緩存增加三倍

昨天在 Computex 2021 上，AMD 首席執行官 Lisa Su 展示了公司的下一個重大性能表現——3D 堆疊小芯片，使公司能夠將其旗艦 Zen 3 CPU 的 L3 緩存數量增加三倍。

該技術就像它聽起來的那樣——一層 SRAM 緩存位於 CPU 本身的複雜核心芯片 (CCD) 之上。當前的 Zen 3 架構為每個八核小芯片集成了 32MiB 的 L3 緩存——對於像 Ryzen 9 5900X 或 5950X 這樣的 12 或 16 核小芯片，總共需要 64MiB。新技術在每個小芯片的 CCD 頂部增加了一個額外的 64MiB L3 緩存，並與硅通孔 (TSV) 結合。

額外的 64MiB L3 緩存層不會擴展 CCD 的寬度，導致需要結構硅來平衡來自 CPU 冷卻系統的壓力。新設計中的計算和緩存芯片都變薄了，使其能夠與當前的 Ryzen 5000 處理器共享基板和散熱器技術。

鋭龍 5000 上的 L3 緩存增加三倍，可在某些工作負載下實現性能提升 ，特別是存檔壓縮/解壓縮和遊戲，類似於在整個新一代 CPU 上看到的那些。AMD 通過戰爭機器 5 演示展示了性能提升。搭配未指定的 GPU 且時鐘速度固定為 4 GHz，當前型號的 5900X 系統達到了 184 fps，而三重緩存原型管理 206 fps，大約提高了 12%。

AMD 聲稱採用新技術平均提高了 15% 的遊戲性能，從英雄聯盟的 4% 到怪物獵人：世界的 25% 不等。這種性能改進既不需要更小的工藝節點，也不需要更高的時鐘速度，這是特別有趣的，在一個時鐘速度已經基本上碰壁的時代，物理決定的進程節點收縮結束似乎也即將到來。

AMD 表示，重新設計的 5900X 將在今年晚些時候投入生產——遠在 Zen 4 計劃於 2022 年推出之前。 目前，AMD 只專注於“高端 Ryzen”CPU 的新技術，沒有提到 Epyc。考慮到當前材料短缺，增加的緩存所需的額外芯片使其成為預算處理器的不推薦之選。