因 AI 需求旺盛，三星率先推出 12-stack HBM3E DRAM

三星公司在週二宣佈，他們成功研發了業界首款 12 層 HBM3E DRAM，使其成為迄今容量最大的高帶寬內存產品。這家韓國科技巨頭表示，新型 HBM3E 12H DRAM 的最大帶寬達到了 1280GB/s，容量為 36GB。與之前的 8 層 HBM3 相比，帶寬和容量均提升了 50%。

HBM 是由多個垂直堆疊的 DRAM 模塊組成的，每個模塊稱為堆棧或層。以三星最新的產品為例，每個 DRAM 模塊的容量為 24G比特（Gb），相當於 3G字節（GB），共有十二層。目前，內存製造商三星、SK 海力士和美光正在競相增加堆疊數量，同時限制堆疊高度，以使芯片儘可能薄並具有更大的容量。

據三星公司稱，他們採用先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF），使得 12 層 HBM3E 與 8 層 HBM3E 具有相同的高度，以滿足封裝要求。這種薄膜比以前使用的薄膜更薄，消除了堆疊之間的空隙，堆疊之間的間隙減小到 7 微米，從而使得 12 層 HBM3E 的垂直密度比 8 層 HBM3 提高了 20% 以上。此外，三星表示，TC NCF 還允許使用小凸塊和大凸塊，在芯片鍵合過程中，小凸塊用於信號區域，大凸塊用於需要散熱的地方。

這家科技巨頭表示，HBM3E 12H 更高的性能和容量將有助於客戶降低數據中心的總擁有成本。據三星稱，與 HBM3 8H 相比，人工智能應用的訓練速度平均提高了 34%，同時推理服務的用戶數量也可提高 11.5 倍。三星已經向客戶提供了 HBM3E 12H 的樣品，並計劃在今年上半年開始量產。